Gli scienziati sono vicini a realizzare un importante passo avanti nel campo della memoria, poiché una tecnologia che combina le caratteristiche di NAND e RAM potrebbe essere molto più economica da produrre e consumare molta meno energia.

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Un nuovo dispositivo di memoria rivoluzionario che combina le caratteristiche della memoria flash DRAM e NAND è stato sviluppato da un gruppo di ricercatori del Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST).

Guidato dal professor Shinhyun Choi della Facoltà di Ingegneria Elettrica, la svolta del team promette soluzioni più economiche ed efficienti dal punto di vista energetico che possono sostituire le attuali soluzioni di memoria o possono essere utilizzate per implementare il calcolo neurale per i dispositivi IA di prossima generazione.

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