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Scienziati coreani sviluppano una tecnologia per chip semiconduttori sub-nanometrici

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Scienziati coreani sviluppano una tecnologia per chip semiconduttori sub-nanometrici
Gli scienziati del Korea Advanced Institute of Science and Technology hanno sviluppato la tecnologia necessaria per produrre semiconduttori su scala sub-nanometrica.  Immagine gentilmente concessa da KAIST

Gli scienziati del Korea Advanced Institute of Science and Technology hanno sviluppato la tecnologia necessaria per produrre semiconduttori su scala sub-nanometrica. Immagine gentilmente concessa da KAIST

Seul, 2 febbraio (Yonhap) – Un team di scienziati del Korea Advanced Institute of Science and Technology ha dichiarato venerdì di aver sviluppato le tecnologie necessarie per semiconduttori di dimensioni sub-nanometriche.

Il team, guidato dal professor Lee Ka-young, ha affermato che la nuova tecnologia fa uso di un nuovo materiale chiamato bisolfuro di molibdeno bipolare (MoS2), invece del tradizionale silicio.

Due produttori di chip asiatici, Samsung Electronics e Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, stanno adottando la tecnologia più recente e utilizzando il processo a 3 nm.

Le due società, e la loro rivale statunitense Intel, inizieranno la produzione di massa di chip basati sul processo a 2 nanometri, lavorando anche su scala sub-nanometrica.

Un nanometro equivale a un miliardesimo di metro. Lo spessore di un capello umano varia tra 50.000 e 100.000 nanometri.

I produttori di chip cercano di realizzare prodotti più compatti perché più piccoli sono i transistor sul chip, maggiori sono le loro prestazioni e minore il consumo energetico.

“Il mondo ora è in competizione per sviluppare nodi di chip per computer da 1 nm e più piccoli. In contrasto con questo sviluppo, il silicio tradizionale non è un buon materiale a causa di problemi come gli effetti del canale corto”, ha detto Lee a UPI News Korea.

“Il MoS2 è superiore in quanto può affrontare in modo efficiente tali problemi grazie alla sua struttura unica. Tuttavia, gli scienziati hanno faticato a realizzare un semiconduttore bipolare utilizzandolo. In questo contesto, abbiamo dimostrato semplici strategie per ottenere dispositivi MoS2 bipolari ad alte prestazioni. ” Lei disse.

Gli effetti di canale corto si verificano nei circuiti integrati di grandi dimensioni realizzati con dispositivi molto piccoli, influenzando negativamente le loro prestazioni a causa di problemi come la corrente di dispersione.

Un semiconduttore bipolare significa che è progettato per trasportare cariche positive e negative, che è la caratteristica fondamentale necessaria per i chip.

Lee ha aggiunto che le nuove scoperte del suo team avranno un altro vantaggio chiamato multifunzionalità, poiché il dispositivo basato su MoS2 può fungere da transistor, diodo e fotorivelatore.

La ricerca è recentemente apparsa sulla rivista scientifica peer-reviewed American Chemical Society Nano.

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